Sprawdźcie, jak wygląda sampel inżynieryjny procesora Haswell-E

Następca Ivy Bridge-E i Sandy Bridge-E ma mieć osiem rdzeni taktowanych zegarem 3 GHz. Układ wyróżnia także bardzo duża powierzchnia. Za układ jednak przyjdzie nam słono zapłacić...

Intel zaplanował premierę układu Haswell-E na trzeci kwartał 2014 roku (w drugim kwartale na rynku pojawi się rodzina Broadwell). Dzięki portalowi VR-Zone już teraz możemy zobaczyć, jak wygląda nowy produkt niebieskich.

Haswell-E ma oferować 8 rdzeni taktowanych zegarem 3 GHz wykonanych w 22-nm procesie technologicznym, czyli tym samym, co Ivy Bridge-E. W momencie debiutu układu Intel zamierza udostępnić dwie jego wersje: "X" lub Extreme Edition, a także "K". Oczywiście ta pierwsza będzie najwydajniejsza i najdroższa, do czego niebiescy już nas przyzwyczaili.

Haswell-E będzie korzystać z chipsetu X99, który nie jest zgodny z wcześniejszą serii X79. Intel X99 oferuje natywne wsparcie dla USB 3.0, a także 10 portów SATA 6 Gb/s.

Zdjęcie udostępnione przez VR-Zone pozwala zauważyć, że sampel inżynieryjny został stworzony w USA, a nie - jak to zwykle bywa - w fabrykach w Azji. Oznaczać to może, że ten konkretny model jest bardzo wczesną wersją procesora mającego zadebiutować za minimum 7 miesięcy.

Haswell-E będzie pierwszym CPU wspierającym pamięci DDR4. Oczywiście, jak przystało na najwyższe modele Intela, będzie obsługiwał tę pamięć czterokanałowo, a maksymalne taktowanie RAM-u ma wynieść 2133 MHz. Nie zapomniano też o technologiach Intel Turbo Boost 2.0 i HT (prawdopodobnie więc, najwyższe modele będą aż 16-wątkowe!).