Pamięci DDR4 zaprezentowane na ISSCC

Nowy typ pamięci RAM ma trafić na rynek w 2013 roku. Na konferencji International Solid-State Circuits Conference, która odbyła się w dniach 19-23 lutego, dwie firmy zaprezentowały nowe układy.

Nowe układy pamięci mają być w stanie osiągnąć transfery rzędu od 2133 MT/s do 4266 MT/s. Dla przypomnienia - DDR3 cechowały się transferami od 800 MT/s do 2133 MT/s. Łatwo się także domyślić, że ze względu na niższy proces technologiczny obniżone zostało napięcie zasilające, z czym wiąże się mniejsze o 50 proc. względm DDR3 zapotrzebowanie na energię. Ma ono wynosić od 1,05 V do 1,2 V. Nowe układy nie będą kompatybilne wstecz, dlatego prawdopodobnie powtórzy się sytuacja, w której trzeba będzie wymieniać płytę główną, by móc zamontować pamięć DDR4.

Pierwszą firmą, która zaprezentowała nowe układy, był Samsung. Ich produkt cechuje się prędkością transferu na poziomie 2133 Mb/s (2133 MHz), przy napięciu wynoszącym 1,2 V. Kolejnym producentem był Hynix. Przedstawione pamięci pracowały z taktowaniem 2400 MHz (2400 Mb/s) i były w w stanie osiągnąć przepustowość do 19,2 GB/s z 64-bitowymi operacjami wejścia/wyjścia (64-bit I/O). Samsung do produkcji nowych układów wykorzystał 30 nm proces technologiczny, natomiast Hynix - 38 nm.

Inni producenci, tacy jak Elpida, Micron, Nanya, nie zaprezentowali swoich prototypów pamięci DDR4, ale oczekuje się, że zrobią to do końca 2012 roku.