PRAM - czyli więcej i szybciej
Źródło: własne
Samsung przedstawił dzisiaj nowy rodzaj pamięci flash – PRAM (Phase-change Random Access Memory). Nad nową technologią bardzo mocno pracowali ostatnio inżynierowie Samsunga, w końcu zobaczyć można owoce ich trudów. Zademonstrowano bowiem publicznie 512 Mbitową kość PRAM, która wyprzeć ma za kilka lat pamięci flash produkowane w technologii NOR.
PRAM, jak mówią przedstawiciele Samsunga, jest o wiele szybsza od pamięci NOR. PRAM uzyskuje tak wysoką wydajność dzięki zmianie sposobu w jaki zapisywane i odczytywane są dane. W odróżnieniu do pamięci NOR, PRAM nie wymaga kasowania starych danych, aby można było na nich zapisać nowe. Ciężko wyobrazić to sobie w działaniu, jak zapewnia Samsung jest to jednak całkowicie możliwe.
Adaptacja pamięci PRAM będzie miała miejsce początkowo w zaawansowanych technicznie palmtopach i innych mobilnych urządzeń – tam gdzie wysoka wydajność będzie potrzebna najbardziej.
Na starcie pamięci produkowane będą w wersjach o pojemności 512 Mbit. Trafią one na rynek w 2008 roku.
