Intel zintegruje pamięć DRAM z procesorem

Do tej pory w procesorach instalowano pamięć podręczną w postaci np. Cache L2. Są to pamięci typu SRAM (Static Random Access Memory). Jednakże niewielkiej jednostce badawczej w laboratoriach Intela udało się zmniejszyć rozmiar pamięci DRAM (Dynamic Random Access Memory) do dwóch tranzystorów.

W przeciwieństwie do komórek DRAM 2T Intela, każda komórka SRAM składa się z sześciu tranzystorów. Cztery z nich tworzą przepustnice, a dwa kolejne sterują pozostałymi.

Pamięć SRAM ma kilka zalet w porównaniu z DRAM. Są to: niższe zużycie energii, większa prędkość, brak konieczności odświeżania. Jednakże SRAM na pewno jest dużo droższy niż DRAM, a jednocześnie zajmuje znacznie większą powierzchnię.

Jak się okazuje, jednym z najważniejszych elementów wpływających na wydajność procesora jest szybkość komunikacji między jego rdzeniami. W tym procesie ważną rolę odgrywa Cache. Postęp w tej dziedzinie między kolejnymi generacjami CPU jest oczywisty. Gdy 65nm czterordzeniowy Kentsfield osiągał około 8 - 9GB/sec., to już 45nm Harpertown oferuje aż 18 - 20GB/sec.

Intel był w stanie lepiej dostosować swoje DRAM i uzyskał fizyczny zegar 2 GHz przy użyciu 65nm procesu produkcyjnego. Powstały DRAM 2T oferuje oszałamiające pasma do 128 GB/s.

Jeśli projekt osadzenia DRAM w Cache L2 zakończy się powodzeniem, przy zegarze procesorów QX9770/9775 będzie możliwe osiągnięcie pasma 204.8 GB/sec. Innymi słowy, Intel zyska więcej niż dziesięciokrotną poprawę wydajności swojej obecnej technologii pamięci podręcznej L2.