Elastyczna pamięć SRAM
Źródło: własne
Koncern Seiko Epson opracowała nowy układ pamięci SRAM o pojemności 16kb, umieszczony na elastycznym podłożu.
Prototypowy układ jest wynikiem eksperymentu przeniesienia na elastyczne podłoże plastikowe krzemowej struktury TFT pamięci SRAM – pierwotnie zbudowanej na cienkim szkle – przy wykorzystaniu zastrzeżonej technologii "SUFTLA". Jak podaje Seiko Epson, to pierwszy na świecie elastyczny układ SRAM wykonany z cienkiej niskotemperaturowej powłoki polikrystalicznego krzemu.
Jak podał rzecznik firmy, wynalazek przeszedł pierwsze pomyśle testy, współpracując z firmowym procesorem 8-bitowym. Każda komórka nowej pamięci składa się z sześciu tranzystorów. Wymiary pojedynczej komórki pamięci to 68 x 47,5 um. Aby ograniczyć do minimum czas dostępu do pamięci w podłożu pamięci zintegrowano także wzmacniacze sygnału. Przy napięciu zasilania +6 V, średni czas dostępu wynosi przy odczycie wynosi 200 ns, natomiast dla zapisu wartość ta wynosi 100 ns. Przy napięciu zasilania zmniejszonym do +3 V, wartości tych czasów wynoszą odpowiednio 650 ns i 325 ns. Rozmiar nowych układów pamięci SRAM Seiko Epson to 10,77 x 8,28 mm, przy grubości wynoszącej 200 um.
W oparciu o technologię SUFTLA Seiko Epson opracowało już w przeszłości elastyczny papier elektroniczny oraz elastyczny asynchroniczny mikroprocesor 8-bitowy.
