DDR3 od Hynix z certyfikatem Intela

Firma Hynix Semiconductor poinformowała o tym, iż jako pierwsza uzyskała certyfikat na zgodność 1 i 2 GB pamięci DDR3 z nowym chipsetem firmy Intel.

Moduły, które uzyskały certyfikat zbudowane są z 1 Gb kości produkowanych w technologii 80-nm. Certyfikowane pamięci pracują z opóźnieniami 5-5-5 i 6-6-6 (CAS-TRCD-TRP) dla efektywnej częstotliwości taktowania równej 800 MHz oraz 7-7-7 dla 1066 MHz. Maksymalne bezpieczne i gwarantowane przez firmę Hynix napięcie zasilania wynosi 1.5 V.

Masowa produkcja tych modułów ma rozpocząć się w trzecim kwartale tego roku, natomiast pod koniec 2007r pamięci DDR3 od Hynix mają być budowane na bazie kostek wyprodukowanych w 66-nm procesie technologicznym.